MACOMとSTマイクロエレクトロニクス、RF市場･アプリケーションの主流となるGaN-on-Siの提供を発表
- STの製造規模、供給安定性および需要急増時の対応力と、MACOMのGaN-on- Siを使った RFパワー製品の組み合わせで、主要なコンスーマ機器、車載機器および無線基地局などをサポート
- MACOMの技術ライセンス提供を受け、GaN-on-Siを使ったRFパワー製品を供給
- GaN-on-Siを活用したコスト低減と電力密度のブレークスルーによる、4G / LTEおよび電力密度の高いMIMO 5Gアンテナの実現を期待
高性能RF、マイクロ波、ミリ波および光波半導体製品の主要サプライヤであるMACOM Technology Solutions Holdings, Inc.（NASDAQ：MTSI、以下MACOM）と、多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、GaN-on-Si（ガン･オン･シリコン : シリコン・ウェハ上に形成した窒化ガリウム）の開発に関して合意したことを発表しました。この製品は、MACOMによる一連のRFアプリケーションへの使用を目的に、STが製造を行います。この合意により、MACOMは供給源が拡大する一方、STは携帯電話、無線基地局および関連する商用通信インフラ以外のRF市場において、独自のGaN-on-Si製品を製造および販売する権利を得ます。
MACOMは、この合意が、強化されたシリコン・ウェハ製造能力へのアクセスと、コスト構造の改善を通じ、主要アプリケーション市場において、現行のシリコンLDMOSに代わるGaN-on-Siの採用が加速することを期待しています。STとMACOMは、GaN-on-SiをSTのCMOSウェハ工場で量産するために数年にわたって協力してきました。現時点では、STによるサンプル品の製造は2018年に開始される予定です。
MACOMの社長 兼 最高経営責任者（CEO）であるJohn Croteauは、次のようにコメントしています。「当社は、RF業界においてGaN-on-Si技術を普及させるために先頭に立ってきました。今回の合意は、この長い道のりを次の段階へと進めるものです。これまでMACOMは、GaN-on-Siを改良し、そのメリットを実証してきました。それほど大規模ではない化合物半導体工場を使用し、高価なGaN on SiCの代替技術としてRF性能と信頼性とを確立し、さらにはGaN on SiCの水準を超えるために取り組んできました。当社はSTと協力してこの革新的なGaN技術を投入し、最終的には最も要求の厳しいお客様およびアプリケーションにも製品を提供できるようなシリコン・サプライ・チェーンの構築を目指しています。」
STのオートモーティブ & ディスクリート･グループ 社長であるMarco Montiは、次のようにコメントしています。「シリコン・ウェハ製造におけるSTの規模と優位性は、Gan-on-Siの普及に不可欠となるコスト面でのブレークスルーを実現し、MACOMとSTによるRFパワー･アプリケーションの新たな可能性を拓きます。また、既存のRFアプリケーションにおけるビジネス・チャンスの拡大のほか、GaN-on-Si を使った新しいRFエネルギー･アプリケーションにも大いに期待しています。特に車載では、プラズマ点火などの用途が考えられています。これにより、従来エンジンより燃焼効率を高めることができます。またRF照明向けでは、より高効率かつ長期間の使用に耐えうるシステムが考えられています。」
Strategy Analytics社の先端半導体アプリケーション・サービス部門のディレクターであるEric Higham氏は、次のようにコメントしています。「RFパワー半導体が1ワット当たり0.04ドルという壁を超えることができれば、RFパワー市場に大きなビジネス・チャンスが開かれる可能性があります。RFパワー製品の用途には、電子レンジ、車載用ライトとイグニッション、プラズマ照明などが含まれ、その需要は何億個にも達する潜在性を秘めており、販売額にすると数十億ドルと推定されます。」
MACOMについて
MACOMは、ますます増加する社会の情報への需要に応える光学･無線･衛星ネットワーク向け半導体技術のブレークスルーを通じて、よりコネクテッドかつ安全な世界を実現します。
現在MACOMは、何百万もの人々が日々の暮らしの中で通信やビジネスを行い、旅行し、情報や娯楽を得るために絶えず頼りにしているインフラを支えています。当社の技術により、モバイル･インターネットの高速化と受信地域の拡大が進んでおり、光ファイバ・ネットワークでは、以前は想像できなかったデータ量を企業･家庭･データセンターに届けることが可能になっています。
また、人々の安全のために、MACOMの技術は次世代のレーダーを実現します。航空交通制御および気象予報だけでなく、コンピュータ・ネットワークに常に接続されている現代の戦場において任務を成功に導きます。
MACOMは、世界の主要な通信インフラ、航空宇宙および防衛産業の企業に選ばれたパートナーで、クラス最高のチームと、RFおよびマイクロ波、ミリ波、光波の半導体製品の幅広いポートフォリオを通じて、ネットワーク容量、信号受信地域、電力効率、フィールド信頼性などの分野で最も複雑な課題の解決に貢献します。
MACOMは、半導体業界を支える一社として、60年以上にわたり、世界をより良く変革するという目標に向かって進んできました。お客様に対しては真の競争優位性を提供し、投資家の皆様に対しては優れた価値を提供できるような数々の革新的な技術を実現しています。
マサチューセッツ州ローウェルに本社を置くMACOMは、国際品質規格ISO9001および環境マネジメント規格ISO14001の認証を取得しています。MACOMは、北米、ヨーロッパ、アジア、オーストラリアに設計センターとセールス・オフィスを展開しています。
MACOM、M/A-COM、M/A-COM Technology Solutions、M/A-COM Tech、Partners in RF & Microwave、および関連ロゴはMACOMの商標です。その他すべての商標はその所有者に帰属します。
MACOMの詳細については、www.macom.comをご覧ください。または、Twitterで@MACOMtweetsをフォローするか、LinkedInでMACOMに参加するか、MACOMのYouTubeチャンネルをご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2017年の売上は83.5億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。
将来予測に関する記述についての特記事項
本プレスリリースには、将来予測に関する記述が含まれています。将来予測に関する記述には、特にGaN-on -Siウェハの開発と製造に関する予測、当該ウェハの潜在的な用途、GaN-on-Siの製造、コスト構造及び電力密度に関する潜在的なメリット、GaN-on-Siの市場での採用及び採用のペース、RFエネルギー市場における機会、並びにRFエネルギーの出荷と販売の見込みに関する記述が含まれています。将来予測に関する記述には、歴史的事実ではないあらゆる記述が含まれ、一般的に「予期する」、「信じる」、「可能性がある」、「見積もる」、「見込む」、「意図する」、「～かもしれない」、「計画する」、「潜在的な可能性がある」、「予測する」、「企画する」、「要求する」、「～はずである」、「～なる（する）だろう」、またはこれらに類似する表現およびこれらの語句の否定表現によって特定されることがあります。
これらの将来予測に関する記述は、将来の事象に関する現時点での見解を示すものであり、リスク、不確実性、前提、および環境の変化に左右され、そのため、それらの事象、実際の活動、または結果は、将来予測に関する記述で示されたものと大幅に異なる可能性があります。MACOMとSTのいずれも、将来の事象、結果、活動、販売やその他の活動のレベル、成果、および実績について一切保証はできません。これらの将来予測に関する記述を過度に信頼しないよう、ご注意ください。多数の重要な要因によって、実際の結果は、将来予測に関する記述と大幅に異なる可能性があります。この重要な要因には以下のものが含まれます。
- 設計上の課題、製造のボトルネック、供給不足、生産量の問題等により、関係者が用途に合った製品の数量を適切な小売価格帯で適切な時期に納品できない可能性
- 予定していた製品展開が行われない、予定していた時期より大幅に遅れる、または季節的影響、規制当局の作為又は不作為、技術シフト、基準の変更、マクロ経済上の脆弱性等に基づき、RF市場またはその他の末端市場の需要、あるいはOEM顧客からの需要が想定を下回り、見込んでいた新事業の数量または種類に至らない可能性
- 価格圧力および平均販売価格の下落が、市場シェアを獲得または維持する努力、競争要因、技術シフト等により、想定を超える可能性
- GaN-on-Si製品を、適切な時期に顧客の需要を満たすために受け入れ可能な生産性での量産に移行できない可能性
- 在庫が陳腐化し、それに伴う償却が発生する可能性
- 導入した知的財産権が利用できなくなる、または合理的な条件で技術をライセンスできない可能性
- 知的財産権の侵害または不正利用にかかる請求の影響、見込んでいたスケールメリットの不達成の影響、顧客及び業界によるGaN-on-Siの不採用または採用延期の影響、製造プロセスでの利用見込みおよび採用見込みを下回ることによってGaN-on-Siプロセス技術の移植及び認定並びに期待していた製造スケールメリットの達成ができない又は遅れることによる影響、GaN-on-Si製品の共同開発が完了に至らない、または完了が想定より遅れることによる影響、主要人員の不足、競争要因、製品または技術の陳腐化、顧客のプログラム・シフト等による取引上の損失の影響
- 期間内に販売された混成製品が低マージン製品へシフトする可能性
- サプライチェーンでの供給不足またはその他の途絶の影響
- 輸出、環境、またはその他の適用法の変更の影響、並びにMACOMが米国証券取引委員会（「SEC」）に提出した報告書（2017年11月15日提出の、2017年9月29日を末日とする会計年度にかかるForm10-Kの年次報告書を含む）又はSTがSECに提出した文書（2017年3月3日提出の、2016年12月31日を末日とする会計年度にかかるForm20-Fの年次報告書）の『Risk Factors』に記載された要因の影響
MACOMとSTのいずれも、新たな情報、将来の事象またはその他に伴うものか否かを問わず、将来予想に関する記述を公に更新または改訂を行う義務を一切負いません。
*2018年2月6日にローウェル（米国）およびジュネーブ（スイス）で発表されたプレスリリースの抄訳です。
For more information please contact:
MACOM
Ozzie Billimoria
MACOM Technology Solutions Inc.
+1-978-656-2896
ozzie.billimoria@macom.com
STMicroelectronics
Michael Markowitz
Director, Technical Media Relations
+1-781-591-0354
michael.markowitz@st.com
