600V /650V MDmesh M9 / DM9スーパージャンクション・パワーMOSFET
パワー・ステージを改善
600V / 650V STPOWER MDmesh M9およびDM9シリーズは、現在の市場で最高クラスのFOM RDS(on)*Qgを提供します。これにより、電力密度が向上し、よりコンパクトなシステム ソリューションが実現します。この結果は、次の2つの方法で得られます。
・固定パッケージでより小さいRDS(on)とより低いQgの組み合わせ
・これまでのテクノロジーと比べ、より小さいパッケージで同じRDS(on)とより低いQgの組み合わせ
MDmesh M9 / DM9シリーズMOSFETは、さまざまなアプリケーションのニーズに合わせて各種パッケージで提供されます。
主な特徴とメリット
市場で最高クラスの性能指数(RDS(on) x Qg)
| MDmesh M9シリーズ | MDmesh DM9シリーズ |
---|---|---|
DPAK | ||
TO-220 | ||
TO247-4 | ||
TO-247ロング・リード |
250-600-650V MDmesh M9:最高クラスの効率を実現するスーパージャンクション・パワーMOSFET
業界最高クラスの性能指数(RDS(on) x Qg)により、出力レベルと電力密度が向上し、より小型のソリューションに対応可能です。
600V / 650V MDmesh DM9:高速リカバリSJパワーMOSFETは、効率性と堅牢性を高めます
高速ボディ・ダイオードを備えた新しいシリコンSJ MOSFETシリーズは、フルブリッジ位相シフト型ZVSトポロジ向けに、優れた効率性と信頼性を提供します。
ST、電力密度と電力効率を高める新しいMDmesh MOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクスのSTPOWER MDmesh M9およびDM9 Nチャネル・スーパージャンクション・マルチドレイン・シリコン・パワーMOSFETは、データ・センター・サーバや5GインフラストラクチャからフラットパネルTVに至るまでのさまざまなアプリケーション用のスイッチング電源(SMPS)に最適です。