上面冷却型SMDパッケージで提供される最高1200Vの車載グレードSiC MOSFET
HU3PAKパッケージで提供される新しい750V SiC MOSFET
効率と熱性能の向上により、よりコンパクトな信頼性の高い電力変換システムを実現
効率と熱性能の向上により、よりコンパクトな信頼性の高い電力変換システムを実現
ブレークダウン電圧が最高1200VのこれらのAEC-Q101認定デバイスは、STの第3世代SiC STPOWERテクノロジーの特徴と上面冷却型SMDパッケージ（HU3PAK）の優れた熱性能を兼ね備えています。エネルギー効率、システム･サイズ、および重量が改善され、フォーム･ファクタの小型化と性能の向上を実現します。
STPOWER SiC MOSFETの特徴
熱性能
- 上面冷却型SMDパッケージ
電力効率
- 全温度範囲で非常に低いRDS(on)
- 非常に低いスイッチング損失
スイッチング性能
- ハイスピード･スイッチング性能
- ソース･センシング･ピン
より容易な設計
- 高速かつ堅牢なボディ･ダイオード
車載グレード認定品
- AEC-Q101認定
| HU3PAKの | HU3PAKの | HU3PAKの |
|---|---|---|---|
| ブレークダウン電圧（VDS） | 650V | 750V | 1200V |
| オン抵抗（最大） | 63mΩ、72mΩ | 78mΩ | 28mΩ、87mΩ |
| ドレイン電流 | 30A | 30A | 30A、100A |
| 製品リファレンス |
STPOWER SiC MOSFETの特徴
主なアプリケーション
オンボード･チャージャ
DC-DCコンバータ
EV充電器
太陽電池パネル
関連情報
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このオンデマンド･ウェビナーでは、新しい上面冷却型HU3PAKパッケージで提供されるSTの第3世代SiC MOSFETが設計のレベルをどのように引き上げるかを説明します。
上面冷却型HU3PAKパッケージで提供されるSiC MOSFETの新しいテスト･プラットフォーム
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次世代の電気自動車アプリケーションで効率をより向上させる第3世代のSiC MOSFET
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個別製品カタログ
第3世代のSiC MOSFETは非常に低いRDS(on)が特徴で、電気自動車の航続距離の延長、システム･サイズと重量の最適化を確実に実現します。STの包括的なポートフォリオは、最高1200Vの幅広いブレークダウン電圧範囲に対応しています。各デバイスは最高水準の車載用規格と産業規格を満たすように設計されている最先端のパッケージで提供されます。
最高の熱性能を実現するためのHU3PAKパッケージ実装ガイドラインおよび考慮事項
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テクニカル･ノート
本ノートには、パッケージの実装、取扱い、はんだ付け、さらにはヒート･シンク･タイプに関連する熱についての検討事項や組立て方法も記載されています。チップと周囲雰囲気間の伝熱を管理してチップ温度を制限し、部品の性能を確実に発揮させ故障を回避する情報も提供します。