MDmesh™ DM2シリーズは、ファストリカバリ･ダイオードを内蔵した最新のMOSFETです。フルブリッジ位相シフトZVSトポロジ向けに最適化されています。
400V～650VパワーMOSFETは、きわめて小さなリカバリ電荷と短いリカバリ時間（Qrr / Trr）を特徴とし、従来に比べてRDS(on)が最大で40%低減されています。堅牢なdV/dt特性（40V/ns）により、交流電源ラインのノイズや高調波等の大きな過渡電圧が発生する場合でも確実に動作します。STのファストリカバリ･ダイオード内蔵MOSFETは、STPOWERファミリに属しています。
主な特徴
- 内蔵ダイオードの逆リカバリ時間（Trr）の改善による効率向上
- dV/dt特性の改善による信頼性向上
- 車載用アプリケーション向けにAEC-Q101認定済み400V / 500V / 600V / 650Vスーパー･ジャンクションMOSFET
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率のカスタマイズされたアプリケーション開発に貢献します。
注目ビデオ
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.
