製品概要
概要
このNチャネル･パワーMOSFETは、トレンチ･ゲート構造を強化したSTripFET F7テクノロジーを採用し、きわめて低いオン抵抗を実現した高効率MOSFETです。内部電荷容量とゲート電荷を削減することで、より高速かつ効率的なスイッチングを実現しています。
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特徴
- AEC-Q101準拠
- きわめて低いRDS(on)
- 優れたFoM（性能指数）
- EMI耐性を実現する低Crss/Ciss比率
- 高いアバランシェ耐性
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STK130N4LF7AG
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
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SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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| ZIP | 1.0 | 23 Aug 2022 | 23 Aug 2022 |
