製品概要
概要
The device is manufactured in NPN Planar Technology by using a \"Base Island\" layout.
The resulting Transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage
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特徴
- VERY LOW COLLECTOR TO EMITTER SATURATION VOLTAGE
- FAST-SWITCHING SPEED
- HIGH CURRENT GAIN CHARACTERISTIC
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STSA1805-AP | NRND | TO-92 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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STSA1805-AP | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STSA1805-AP NRND
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。