PD54008-E

量産中
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RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

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製品概要

概要

The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for portable radio.

The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly.

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - PD54008-E

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
PD54008-E
量産中
PowerSO-10RF (formed lead) インダストリアル Ecopack2
PD54008TR-E
量産中
PowerSO-10RF (formed lead) インダストリアル Ecopack2

PD54008-E

Package:

PowerSO-10RF (formed lead)

Material Declaration**:

Marketing Status

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PowerSO-10RF (formed lead)

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

PD54008TR-E

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PowerSO-10RF (formed lead)

Material Declaration**:

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PowerSO-10RF (formed lead)

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。