ST rivela avanzati dispositivi di potenza in carburo di silicio per accelerare l’elettrificazione dell’automobile
- Una serie completa di dispositivi che permette la conversione integrale dei moduli di potenza per automobile alla tecnologia del carburo di silicio (SiC) per offrire ai veicoli maggiore affidabilità, convenienza e autonomia
- Risorse avanzate di processo e di produzione su wafer da sei pollici per garantire un’offerta eccellente in tecnologia SiC ai produttori di automobili e ai fornitori di sistemi per il mercato dell’auto
- Programma di qualificazione AEC-Q101 da completare entro l’inizio del 2017, in tempo per i lanci di nuovi prodotti da parte degli OEM
STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, ha annunciato semiconduttori di potenza avanzati ad alta efficienza per veicoli ibridi ed elettrici (EV, Electric Vehicles) e ha comunicato la tempistica per ottenere la qualificazione in base alle normative di qualità per l’automobile, AEC-Q101.
Nei veicoli EV e ibridi, dove una maggiore efficienza elettrica significa maggiore autonomia, la più recente tecnologia di ST basata su carburo di silicio (SiC) permette ai produttori di automobili di realizzare veicoli che possono percorrere distanze sempre più lunghe e ricaricarsi più velocemente per rispondere sempre meglio alle esigenze di chi le guida. ST è leader nel carburo di silicio ed è tra le prime società a presentare MOSFET e rettificatori di nuova generazione per soluzioni discrete e moduli di potenza ad alta tensione per tutti i principali blocchi elettrici di un veicolo, come inverter per la trazione, caricabatterie di bordo e convertitore ausiliario DC-DC.
Gli attuali moduli di potenza utilizzano tradizionalmente diodi standard al silicio e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Il carburo di silicio è una tecnologia più recente, di tipo wide-bandgap che permette di realizzare dispositivi con geometrie inferiori in grado di funzionare ben oltre i 400 V degli attuali sistemi di trazione ibridi ed elettrici. I transistori e diodi SiC hanno una struttura più piccola, con una resistenza interna inferiore e rispondono più rapidamente dei normali dispositivi al silicio, minimizzando le perdite di energia e permettono di utilizzare componenti a contorno più piccoli, in modo da ridurre ancora di più il peso e le dimensioni.
“I principali produttori automobilistici e le società Tier-1 per l’automobile stanno scegliendo la tecnologia al carburo di silicio per i futuri sviluppi di prodotto facendo leva sulla sua maggiore efficienza aggregata, rispetto al tradizionale silicio, in un grande numero di possibili scenari operativi,” ha affermato Mario Aleo, Group Vice President e Direttore Generale, Divisione Transistori di Potenza di STMicroelectronics. “I nostri dispositivi SiC hanno dimostrato prestazioni eccezionali e hanno raggiunto uno stadio avanzato di qualificazione, mentre supportiamo i nostri clienti nella preparazione dei lanci di nuovi prodotti previsti per il 2017.”
ST è stata una delle prime società a produrre MOSFET ad alta tensione in carburo di silicio con l’introduzione già nel 2014 del primo MOSFET SiC da 1200 V caratterizzato fino alla temperatura, leader di settore, di 200 °C e che permette di realizzare progetti semplificati e più efficienti.
La Società impiega i processi più avanzati dell’industria per produrre diodi e MOSFET SiC utilizzando wafer da quattro pollici. Per ridurre i costi manifatturieri, migliorare la qualità e consegnare i quantitativi elevati richiesti dal settore dell’automobile, ST sta trasferendo la produzione di diodi e MOSFET SiC su wafer da sei pollici nel rispetto dei tempi di un piano che prevede che entrambe le conversioni vengano completate entro la fine del 2016.
ST ha già ottenuto la qualificazione dei propri diodi SiC da 650 V in base allo standard AEC-Q101, e completerà la qualificazione degli ultimi MOSFET SiC da 650 V e diodi SiC da 1200 V nella prima parte del 2017. La qualificazione della nuova generazione di MOSFET SiC da 1200 V verrà completata entro la fine del 2017.
Per ulteriori informazioni sulla gamma di dispositivi SiC di ST si consiglia di visitare www.st.com/sicmos per i MOSFET o www.st.com/auto-sic-diodes per i diodi.
Alcune informazioni su STMicroelectronics
ST è leader globale nei semiconduttori e fornisce prodotti e soluzioni intelligenti e efficienti dal punto di vista del consumo di energia che danno vita ad applicazioni elettroniche di uso quotidiano. I prodotti ST si trovano già oggi dappertutto e saranno ancora più diffusi domani perché, insieme ai nostri clienti, lavoriamo per rendere sempre più intelligenti le automobili, le fabbriche, le città e le abitazioni, oltre ai dispositivi mobili e di Internet of Things.
Ed è proprio perché ST lavora per ottenere maggiori benefici dalla tecnologia e utilizzarli per migliorare la nostra vita che diciamo che ST sta per life.augmented.
Nel 2015, ST ha avuto ricavi netti pari a 6,90 miliardi di dollari presso più di 100 mila clienti in tutto il mondo. Per ulteriori informazioni consultare il sito www.st.com.
