STマイクロエレクトロニクス、Innogration社のLDMOS技術に関し、ライセンス契約および協力契約を締結
- 本合意により、STのRFパワー市場への対応範囲が拡大
- 高い完成度と実績を備えるLDMOS技術は、無線インフラ、産業･科学･医療機器、航空電子機器、レーダー、およびセルラー通信以外の無線機器に最適
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、Innogration Technologies（以下Innogration）社と、RFパワー向けLDMOS技術(1)に関して合意したことを発表しました。中国・蘇州に本社を置く半導体ファブレス企業であるInnogration社は、RFパワー半導体デバイス / モジュール / サブシステムの設計・製造を行っています。
伝導チャネル長が短く、ブレークダウン電圧が高いLDMOS製品は、ワイヤレス通信システムの基地局に用いられるRFパワー・アンプや、商業用・産業用システム向けパワー・アンプに最適です。Innogration社との合意により、STはLDMOS技術を使用するより広範な用途への対応が可能になります。
なお、合意条件は非公開です。
(1) LDMOS：横方向拡散金属酸化膜半導体
