SCT055HU65G3AG automotive-grade silicon carbide power MOSFET 650V-30A 58 mOhm typ. in an HU3PAK package

650V車載グレードのシリコンカーバイドSTPOWER MOSFETを上面放熱型のSMD HU3PAKパッケージで提供

SCT055HU65G3AGは、STの第3世代STPOWER SiCテクノロジーの直感的な特徴と上面放熱型パッケージの高い熱性能を統合しており、電気自動車アプリケーションのオンボード・チャージャやDC-DCコンバータ、産業用電力変換に最適です。 

SCT055HU65G3AGは、温度範囲全体でRDS(on)がきわめて低く、低キャパシタンス(静電容量)かつ優れたスイッチング動作にも対応していることから、周波数、エネルギー効率、システム・サイズ、および軽量化の面で、アプリケーション・パフォーマンスを全体的に向上させることができます。さらに、上面放熱型の優れた表面実装型(SMD)HU3PAKパッケージは、電力密度を高めながら、フォーム・ファクタの小型化、および設計の柔軟性と熱性能の向上を実現できます。

追加のケルビン・ソース・ピンにより、ターンオン / ターンオフ・スイッチング損失が減少するため、効率を高めた設計が可能になります。

HU3PAKパッケージの詳細については、車載用アプリケーション向けの上面放熱型SMDパッケージのページをご覧ください。

主な機能

  • AEC-Q101準拠
  • 温度範囲全体できわめて低いRDS(on)
  • ハイスピード・スイッチング性能
  • 高速かつ堅牢なボディ・ダイオードを内蔵
  • 高効率を実現するソース・センシング・ピン

関連情報

 
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SiC第3世代テクノロジーは、トランジスタ効率、電力密度、およびスイッチング性能を新たなレベルへ引き上げます。

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本テクニカル・ノートには、パッケージの実装、取扱い、はんだ付け、さらにはヒート・シンク・タイプに関連する熱についての検討事項や組立て方法も記載されています。

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