高電圧スイッチングの革新は次章へ!ST第3世代SiC MOSFET

オン抵抗30%低減・FoM 50%低減: 650V/750V/900V/1200V SiC MOSFET

高電圧スイッチングの革新は次章へ!ST第3世代SiC MOSFET

ST の最新世代の第3世代SiCパワーMOSFETは、より低いオン抵抗、より高周波のスイッチングを実現します。650V / 750V / 900V / 1200Vの幅広いラインアップを揃えています。

 

STの第3世代 SiC MOSFETは、高電圧かつ高信頼性が要求されるスイッチング・アプリケーション、とりわけ車載のトラクション・インバータ、OBC(オンボード・チャージャ)、DC-DCなどのアプリケーションに最適です。650V~1200Vの幅広い電圧レンジのラインアップに対応し、幅広いパッケージで提供されます。Tj=200度を保証したTO-247互換のHiP247パッケージおよびトラクション・インバータ専用の両面放熱パッケージSTPAKに加え、低背化のニーズに対応する上面放熱パッケージHU3PAK、など幅広いラインアップで提供されます。

特徴

  • 車載グレード品質
  • 650V/750V/900V/1200V車載グレード
  • オン抵抗を30%低減
  • FoM(オン抵抗 x Qg)を50%低減
  • Tj=200℃保証(HiP247、HiP247-4、STPAKパッケージ)
  • 幅広いパッケージ:HiP247、HiP247-4、H2PAK-7、HU3PAK、STPAK

アプリケーション

  • 車載トラクション・インバータ
  • 車載OBC
  • 車載DC-DC
  • 太陽光発電
  • 充電スタンド
  • ワイヤレス充電
  • 産業ドライブ

第3世代(Gen3)と従来品のオン抵抗(1200Vデバイスで比較)

Gen1 Gen2 Gen3
1200V
50mΩ 25mΩ 15mΩ

 

 

高電圧スイッチングの革新は次章へ!ST第3世代SiC MOSFET

SiCウェハ

高電圧スイッチングの革新は次章へ!ST第3世代SiC MOSFET



製品リスト

品 名 パッケージ グレード BVdss(V) Rdson max (mohm) ドレイン電流 (A)
SCTHS200N120G3AG STPAK Automotive 1200 13 170
SCT020H120G3AG H2PAK-7 Automotive 1200 28 100
SCT025H120G3AG H2PAK-7 Automotive 1200 37 55
SCT040W120G3AG HIP247 Automotive 1200 40 40
SCT040H120G3AG H2PAK-7 Automotive 1200 40 40
SCT070H120G3AG H2PAK-7 Automotive 1200 87 30
SCT070HU120G3AG HU3PAK Automotive 1200 87 30
SCTHS250N65G3 STPAK Automotive, Industrial 650 10 207
SCT018H65G3AG H2PAK-7 Automotive 650 27 55
SCT040H65G3AG H2PAK-7 Automotive 650 55 30
SCT040H65G3SAG H2PAK-7 Automotive 650 55 30
SCT040HU65G3AG HU3PAK Automotive 650 55 30
SCT055HU65G3AG HU3PAK Automotive 650 72 30
SCT011H75G3AG H2PAK-7 Automotive 750 15 110
SCT060HU75G3AG HU3PAK Automotive 750 78 30
SCTHS300N75G3AG STPAK Automotive 750 8.8 300
SCT012H90G3AG H2PAK-7 Automotive 900 15.8 110
SCT012W90G3AG HIP247 Automotive 900 15.8 110

 

    

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