製品概要
概要
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
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特徴
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best FoM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD5N95K5
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| STD5N95K5 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STD5N95K5 量産中
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