STのMDmesh™高耐圧 / 超高耐圧NチャネルMOSFETは、700Vを超えるブレークダウン電圧や、きわめて低いゲート電荷（Qg）および低オン抵抗（RDS(on)）（TO-220パッケージの場合は900Vで最小250mΩ、MDmesh K5シリーズのTO-247パッケージの場合は1500Vで最小900mΩ）を特徴とする製品です。STの超高耐圧スーパー･ジャンクション技術は、進化を続けています。最新の800V耐圧MDmesh K6シリーズは、DPAKパッケージで現在利用できる最高のRDS（on）特性を提供します。MDmesh™ 高耐圧 / 超高耐圧NチャネルMOSFETは、STPOWERファミリの製品です。
800V / 850V / 900V / 950V / 1000V / 1050V / 1200V / 1700V耐圧の製品が提供されています。
ファストリカバリ･ダイオードを内蔵した950Vおよび1050V耐圧のMDmesh DK5シリーズにより、STの超高耐圧STPOWER MOSFET製品ポートフォリオが拡充されました。業界最高クラスの逆回復時間（trr）（Typ.：250ns）を特徴とし、ZVS LLC共振コンバータに最適な製品です。
超高耐圧NチャネルMOSFETは、スイッチング電源（SMPS）、モニタやTVアダプタ、補助電源、チャージャ、医療機器、無停電電源装置（UPS）、スマート･メータ、マイクロインバータ、LEDドライバ、HFバラストなどの設計を簡略化し、効率向上に貢献します。
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率のカスタマイズされたアプリケーション開発をサポートします。
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Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
Ideal for resonant-type power supplies
