STMicroelectronics introduit de nouveaux MOSFET de puissance destinés à accroître la performance des applications d'éclairage et d'affichage
Geneva / 05 Dec 2006
La forte demande du marché en matière d’augmentation de densité de puissance élevée et de faibles coûts pour les applications d’éclairage commercial pousse les fabricants de semiconducteurs à optimiser au maximum les performances de leurs produits. Issu de la seconde génération de technologie propriétaire MDmesh™*, le nouveau circuit STD11NM60N de ST répond à ces attentes avec une résistance drain-source à l’état passant de 450 mOhm. La valeur de résistance du circuit est réduite jusqu’à 55% par rapport à la précédente technologie MDmesh, sans impact sur le contrôle étroit de la température.
Outre une diminution sensible des pertes à l’état passant grâce à la réduction de la valeur de la résistance, le STD11NM60N 600 V dispose d’un circuit de commande basse consommation qui permet au MOSFET de commander des courants plus élevés avec un seuil de tension VGS(th) (Voltage Gate Threshold) inférieur. En fait, pour une plage de tension de seuil (2 V) identique, la plage de tension VGS utilisée pour le système a été réduite, ce qui optimise la commande et assure une immunité au bruit accrue empêchant le circuit de basculer à l’état passant de façon intempestive.
Le STD11NM60N affiche une excellente tenue en dV/dt de la diode, ainsi que d’excellentes performances en mode avalanche, de sorte que les clients peuvent maintenir les températures opérationnelles dans la plage opératoire typique. Compte tenu des très faibles pertes de conduction et de la réduction de la dissipation, ce circuit permet également de réduire les dimensions des dissipateurs de chaleur, ce qui diminue de manière significative l’espace occupé sur la carte.
La taille réduite du circuit, monté en boîtiers DPAK/IPAK et TO-220FP compacts, facilite son utilisation dans des applications d’éclairage telles que les ballasts électroniques à facteur de puissance élevé (HPF) et les ballasts électroniques pour lampes à décharge de haute intensité (HID).
Le STD11NM60N est disponible en série au prix de 0,90 $ par 10 000 unités.
Complément d’information technique
Les excellentes performances de la technologie MDmesh™ (Multiple Drain mesh™) de ST sont dues à une structure de drain novatrice où celui-ci est mis en œuvre sous forme d’un réseau partagé où les bandes verticales P, extension de la structure, sont alignées sur les bandes horizontales N, de même épaisseur. Dans la technologie MDmesh de nouvelle génération, MDmeshII, de nouvelles améliorations apportées au réseau de bandes P permettent de réduire la résistance à l’état passant (RDS(ON) jusqu’à 55% de la valeur par rapport à la première génération, sans pénaliser le contrôle étroit de la température.
MDmesh™ est une marque déposée de STMicroelectronics
De plus amples informations sont également disponibles sur les commutateurs en courant alternatif de ST en cliquant sur le lien www.st.com/pmos
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MDmeshTM is a registered trademark of STMicroelectronics.
STMicroelectronics en bref
STMicroelectronics est un leader mondial pour le développement et la réalisation de solutions sur silicium destinées à un grand nombre d'applications. Son expertise du silicium et des systèmes, sa puissance industrielle, son portefeuille de propriétés intellectuelles et ses alliances stratégiques placent ST à l'avant-garde des technologies de systèmes sur puce, et ses produits contribuent pleinement à la convergence des applications et des marchés. STMicroelectronics est coté à la Bourse de New York, de Paris (Euronext) et de Milan. En 2005, ST à réalisé un chiffre d'affaires net de 8,88 milliards de dollars et un résultat net de 266 millions. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site www.st.com.
Dernier mis à jour jan 2006
