イノベーション & テクノロジー

BCDは、パワー半導体における重要な技術です。1980年代半ばにSTが開発して以降、継続して開発を進めています。

GaN（窒化ガリウム）技術を活用したSTi²GaNは、サイズ、性能、コスト面でさまざまな電力システムにメリットを提供します。

VIPowerテクノロジーは、1デバイスによる高電力制御や、ステータスのセンシング･通信をサポートし、保護機能を提供します。VIPowerテクノロジーは、1デバイスによる高電力制御や、ステータスのセンシング･通信をサポートし、保護機能を提供します。

STi²Fuseインテリジェント･スイッチは、高速に動作しリセットが可能な、信頼性の高い過電流保護機能を提供し、自動車のワイヤ･ハーネス簡略化･軽量化に貢献します。

GaNトランジスタは、電力変換における革新的なソリューションです。電力効率や電力密度の大幅な向上に貢献します。

SiCは、従来主流であったシリコンと比べてさまざまなメリットを提供します。より高効率で、持続可能なアプリケーションの実現に貢献します。

STの高精度TGFSアーキテクチャは、コスト効率に優れたIGBTのメリットを最大限に引き出し、高電力システムで堅牢なスイッチングを実現します。

高耐圧のスーパー･ジャンクション型MOSFETは、電力効率が重要なシステムでシリコン性能を最適化する優れたアーキテクチャです。

優れた低消費電力性能と高い信頼性により、コスト効率に優れたRF / ミリ波アプリケーション、およびミックスド･シグナル･アプリケーションに独自のメリットを提供します。

組込み相変化メモリ（ePCM）は、Flashメモリやその他の組込みメモリ技術と比べ、メモリ容量や堅牢性において大きなメリットを提供します。

STの革新的なRF-SOIソリューションは、先進的案RFフロント･エンド･モジュール（FEM）の設計を可能にします。

BiCMOSは、小型･高効率設計で高性能なRF ICの開発を実現します。

STが開発･量産化した40nmノードのeSTM（embedded Select in Trench Memory）テクノロジーは、汎用マイコンやセキュア･マイコンのフットプリントやコスト削減、性能向上に貢献します。

STは、耐放射線のエキスパートによって開発された包括的な航空宇宙テクノロジー･プラットフォームと、差別化された耐放射線技術を提供しています。