BCD
バイポーラ･CMOS･DMOS
BCD：パワー半導体のキー･テクノロジー
STは、1980年代中頃、当時革新的であったBCDテクノロジーに投資し、以来継続的に開発を進めてきました。BCDは、3種類の異なるプロセス･テクノロジーを1チップ上に形成するプロセス技術です。
アナログ バイポーラ
アナログ機能に最適
デジタル CMOS
デジタル機能に最適
パワー DMOS
パワー･高耐圧素子に最適
3つの世界の
いいとこ取り
これらのテクノロジーの組み合わせにより、信頼性の向上、EMIの低減、チップの小型化をはじめとする多くのメリットを実現できます。
BCDは幅広く採用され、パワー･マネージメント、アナログ信号処理、パワー･アクチュエータの各分野で多様な製品やアプリケーションに対応できるよう改良が重ねられてきました。
高く評価されたイノベーション
2021年5月、STは「複数のシリコン･テクノロジーを1チップに形成する技術」の歴史的業績が認められ、権威あるIEEEマイルストーンを受賞しました。 IEEEマイルストーンは、電子工学や情報･通信など、IEEEが活動する技術領域における功績を表彰するもので、独創的な製品･サービス、論文や特許など、人類の利益に貢献する革新的かつ卓越した技術の栄誉を称える賞です。
複数のシリコン･テクノロジーを1チップに形成する技術、1985年
Agrate Brianza、イタリア、2021年5月18日 - IEEE Italy SectionSGS (now STMicroelectronics) pioneered the super-integrated silicon-gate process combining Bipolar, CMOS, and DMOS (BCD) transistors in single chips for complex, power-demanding applications. The first BCD super-integrated circuit, named L6202, was capable of controlling up to 60V-5A at 300 kHz. Subsequent automotive, computer, and industrial applications extensively adopted this process technology, which enabled chip designers flexibly and reliably to combine power, analog, and digital signal processing.
独自のBCDプラット
フォーム
20年以上にわたりプロセス開発とチップ製造で培ってきたノウハウを持つSTは、機能･性能･コストの最適なバランスを実現しつつ、さまざまなアプリケーション固有のニーズに対応する独自のBCDプロセス技術を提供しています。
先進的BCD
シリコン･オン･インシュレータBCD
高耐圧BCD
幅広い電圧範囲に対応
5 V ～ 40 V
40 V ～ 200 V
200 V ～ 1200 V
1200 V ～ 6000 V
BCDのイノベーション
STは、20年以上にわたる経験に基づく独自の技術的知見により、 お客様に最高のBCD技術を提供するための優れた技術サポートを提供しています。
STのイノベーション･ロードマップ
提供中
BCDプロセス技術は、以下2つのタイプに大別されます。
- 高密度
- 高耐圧
試作段階
優れた設計プロセスを通じて試験/承認が行われています。
- 高密度
- 高耐圧
開発段階
次世代のBCDプロセス技術です。
- 高密度
- 高耐圧
