18 Nov 2014 | Ginevra

STMicroelectronics favorisce l’uso degli inverter in sistemi sempre più piccoli per le più diverse applicazioni, dai carica-batterie per vetture ibride plug-in ai generatori solari

I nuovi diodi al carburo di silicio (SiC) hanno un miglior rapporto tra corrente nominale e corrente di impulso e sono particolarmente adatti per rispondere alla sfida “Little Box Challenge” Ginevra / 18 Nov 2014

STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica e uno dei principali fornitori di componenti di potenza, ha presentato dei nuovi diodi al carburo di silicio (SiC) qualificati per applicazioni in automobile  e pensati per realizzare carica-batterie a bordo veicolo (on-board battery charger, OBC)  nelle auto elettriche come i veicoli ibridi plug-in  in cui è necessario gestire potenze elevate in spazi ristretti.

Questi diodi permettono ai progettisti di realizzare moduli di potenza più piccoli: un elemento interessante per le applicazioni per l’automobile e anche un solido argomento a favore di chi vuol partecipare alla sfida “Little Box Challenge” lanciata da Google e dalla IEEE. ST è un produttore di dispositivi partner di questa nuova sfida da 1 milione di dollari per la progettazione di inverter dell’ordine del kW e almeno 10 volte più piccoli degli inverter utilizzati oggi nelle più diverse applicazioni, soprattutto i micro-generatori solari.

I diodi usano una tecnologia avanzata per evitare che impulsi elevati di corrente danneggino il dispositivo. Fino a oggi, i progettisti dovevano tipicamente prevedere l’impiego di diodi sovra-dimensionati, per garantire la sicurezza. La nuova tecnologia di ST, invece, garantisce un miglioramento di 2,5 volte del rapporto tra sovra-corrente e corrente nominale. Ciò significa che è possibile utilizzare diodi a bassa corrente, quindi più piccoli ed economici, senza compromettere l’affidabilità o perdere efficienza.

I nuovi diodi SiC di ST sono qualificati per applicazioni automotive, e offrono una maggiore tensione inversa di breakdown di 650V; rispettano quindi i fattori di derating applicati dai progettisti e dai produttori di automobili per garantire margini di sicurezza adeguati tra le tensioni normali e i picchi di breve periodo sostenuti dai dispositivi a semiconduttore utilizzati negli OBC.

I dispositivi si basano sui ben noti vantaggi di efficienza energetica del SiC, una tecnologia Wide Band-Gap (WBG) che permette di ottenere perdite di commutazione inferiori e tensioni di funzionamento superiori a parità di dimensioni del dispositivo, rispetto ai tradizionali componenti al silicio. Tra i dispositivi da 650V presentati oggi vi sono l’STPSC10H065DY da 10A nel package di potenza TO-220AC e l’STPSC12H065DY da 12A in TO-220AC. Inoltre, l’STPSC20H065CTY nel pacakge TO-220AB e l’STPSC20H065CWY in TO-247 sono dispositivi con due diodi 2x10A che aiutano a ottimizzare lo spazio e ridurre il peso di un OBC.

Per maggiori informazioni: www.st.com/sic-auto-diodes

Alcune informazioni su STMicroelectronics
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Nel 2013 i ricavi netti della Società sono stati pari a 8,08 miliardi di dollari. Per ulteriori informazioni su STMicroelectronics consultare il sito www.st.com.