STマイクロエレクトロニクス、 TO-220FP Wide Creepageパッケージで提供される 世界初の1500V耐圧パワーMOSFETを発表

Geneva / 03 Aug 2016

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、アーク放電耐性を持つ新しいTO-220 FullPAK（TO-220FP）wide creepageパッケージで提供されるパワーMOSFETの製品ポートフォリオを発表しました。このポートフォリオには、世界初の1500V耐圧パワーMOSFET（スーパージャンクション型）も含まれます。

TO-220FP wide creepageパッケージは、テレビやPCなどの機器で一般的な電源アダプタ用のパワーMOSFETに最適なパッケージです。これらの電源は、パッケージ端子間のホコリや塵に弱く、汚染によって高電圧のアーク放電が発生することがあります。従来のパッケージは端子間の距離が2.54mmしかなく、端子間の放電防止のために、メーカーは樹脂ポッティング、リード・フォーミング、絶縁スリーブ、絶縁シールなどの追加工程が必要になる場合がありました。この新しいパッケージでは、端子間距離が4.25mmに広げられたため、安全規格への適合と同時に不良率の最小化が行えます。また追加工程も不要になり、製造工程の簡略化と生産性の向上が可能となります。

TO-220FP wide creepageパッケージは、アーク放電に対する優れた耐性を持つのと同時に、従来のTO-220FPパッケージの良好な電気特性も継承しています。外形サイズも同等のため、設計への導入が容易で、既存の組立工程との互換性もあります。

STは、韓国の電源メーカーで顧客でもあるSoluM社と協力し、このTO-220FP wide creepageパッケージを開発しました。SoluM社は、競合製品よりも堅牢かつコスト効率の高い新しい電源ソリューションを開発するため、この優れたパッケージを使用しています。

 

現在、STは、TO-220FP wide creepageパッケージで提供するパワーMOSFETを、世界的な大手テレビ・メーカー向けに増産中です。この製品ポートフォリオは、オン抵抗の低い600V耐圧パワーMOSFET 4品種（MDmesh™ M2、定格電流：8～34A、安全規格認定取得済み）、1500V / 1200V耐圧のSTFH12N150K5 / STFH12N120K5（MDmesh K5、2016年第3四半期末までに安全規格認定の取得予定）で構成されています。

詳細については、www.st.com/mosfet をご覧ください。