STマイクロエレクトロニクス、安全性と信頼性を高める付加価値機能を集積した高電流対応電子ヒューズを発表
Geneva / 10 Jul 2018STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、幅広い入力電圧範囲（8V～48V）で最大4Aの連続電流を維持し、内蔵した低RDS（ON）のパワーMOSFET VIPower™によって挿入損失を低減する、プログラム可能な電子ヒューズのSTEF01を発表しました。同製品は、定格電力の高いアプリケーションにおいて、高速の過負荷保護を実現することができます。
STEF01は、メイン電源レールに直列に接続することで、過電流と過電圧から負荷を保護します。電圧は、ユーザが外部抵抗を使ってあらかじめ設定した最大値にクランプされます。また、過電流は、内蔵パワーMOSFETを制御することで、プログラムされたセーフティ・リミットまでに抑制され、大きな過電流や短絡が検出された場合には、さらに低いリミット値に抑えられます。
STの高電圧BCD8プロセスを採用しているSTEF01は、起動時やホットスワップ挿入時の過剰な突入電流を防止するdV/dt制御など、付加価値の高い機能を集積しています。このdV/dt制御機能は、出力電圧のランプアップ時間を3msまで遅くすることができ、外部キャパシタを接続すれば、必要に応じてさらに延長することも可能です。そのほか、外付けの分割抵抗を使用することによるプログラム可能な減電圧ロックアウト（UVLO）は、電圧レールの最小値を微調整して必要な負荷に合わせることができます。
さらに、ラッチまたは自動リトライによるサーマル・シャットダウン機能と最大許容損失の保護機能を搭載するSTEF01は、いずれも起動時に大きな容量性負荷が発生した場合や、高電圧時における大きな負荷の過渡現象や短絡が発生した場合に、非常に高い電力によるSTEF01の損傷を防ぎます。また、パワーグッド・インジケータと、ステータス・モニタやデバイス制御に使用できるイネーブル / フォールト・ピンも有しています。そのほか、外付けパワーMOSFET（Nチャネル）を制御するための専用のゲート･ドライバ出力により、逆電流保護の実装が容易になります。
STEF01は、産業用ホットスワップ基板および制御機器、サーキット・ブレーカ、電力バス、セキュリティ・システム、照明システム、通信用パワー・モジュール、分散型電源システムなどの幅広い用途において、柔軟性と利便性に優れた保護機能を実現することができます。
STEF01は現在量産中で、HTSSOP14パッケージ（14ピン）で提供されます。単価は1000個購入時に約1.00ドルです。
詳細については、www.st.com/stef01-prをご覧ください。
