STマイクロエレクトロニクス、省電力パワー・トポロジ向けに、高効率のSJ型パワーMOSFETを発表
Geneva / 12 Dec 2018STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、600V耐圧スーパー・ジャンクション型の600V耐圧パワーMOSFETである「MDmesh™ M6シリーズ」を発表しました。同製品は、中程度の電力の共振コンバータおよびハード･スイッチング・コンバータのトポロジにおいて優れた効率を実現します。
ソフト･スイッチングに最適化されたしきい値電圧を持つこの新しいパワーMOSFETは、低消費電力が求められる機器向けのLLC共振コンバータやブーストPFCコンバータに最適です。また、MDmesh M6シリーズは、軽負荷時の効率を向上させる容量プロファイルを持ち、わずか16nCのゲート電荷（Qg）による高速スイッチング周波数が可能となるため、ハード･スイッチング・トポロジにおいても優れた効率を実現します。
また、STの最先端のM6スーパー・ジャンクション技術は、オン抵抗を0.036Ωまで低減できるため、バッテリ充電器、電源アダプタ、PC電源、LED照明用ドライバ、通信基地局およびサーバ電源、太陽光発電システム用マイクロ・インバータなどの機器において、効率と電力密度をさらに向上させることができます。
パッケージ･オプションには、小型かつ熱効率に優れた新しいリードレス・パッケージ（TO-LL）のほか、一般的なスルーホール型パッケージおよび表面実装型パッケージ（DPAK、D2PAK、TO-220、TO-247、PowerFLAT™など）が含まれています。JEDEC登録済みのTO-LLは、既存のD²PAKパッケージ（7ピン）と比較して実装面積が30%、高さが50%低減されているため、より小型で高いスペース効率を持ったパワー・コンバータを実現することができます。また、TO-LLは寄生インダクタンスが小さく、電磁干渉（EMI）を最小限に抑えることができます。
MDmesh M6シリーズは、STPOWER™ポートフォリオの一部として、定格電流が13A～72Aの37品種で構成されており、現在量産中です。価格およびサンプル提供については、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
詳細については、www.st.com/stpowerをご覧ください。
