STマイクロエレクトロニクス、ブリッジ型 / ZVSコンバータの性能を向上させる高速リカバリ対応パワーMOSFETを発表
Geneva / 21 Jan 2019STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、最新のスーパージャンクション技術を採用し、高速リカバリ・ボディ・ダイオードを内蔵した600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh™ DM6」を発表しました。同製品は、フル / ハーフ・ブリッジ・トポロジ、ゼロ電圧スイッチング（ZVS）位相シフト・コンバータのほか、堅牢なダイオードを使用してダイナミックdV/dtへの対応が求められるアプリケーションやトポロジにおいて、優れた性能を実現します。
MDmesh DM6は、STの先進的なキャリア･ライフタイム制御技術を活用することにより、逆回復時間（trr）を短縮してフリーホイール後の逆回復時に発生するダイオードの電力損失を最小限に抑えます。緩やかな逆回復特性は、信頼性を高めるように最適化されています。また、ゲート電荷（Qg）とオン抵抗（RDS（ON））が非常に低く、容量プロファイルが軽負荷時の動作に特化されているため、より高い動作周波数、高効率化、温度管理の簡略化、EMI低減が可能になります。
MDmesh DM6は、優れた電力定格で堅牢な性能と高い電力密度を実現できるため、電気自動車の充電器、通信基地局やデータセンターのパワー・コンバータ、太陽光発電システム用インバータなどに最適です。
STPOWER™ポートフォリオに含まれるMDmesh DM6ファミリは、定格電流が15A～72A、ゲート電荷（Qg）が20nC～117nC、RDS（ON）が0.240Ω～0.036Ωの23品種で構成されています。また同製品は、一般的な各種パワー半導体用パッケージ（低インダクタンス・リードレスTO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220、TO-247）で提供されます。TO-247は、ショート・リードまたはロング・リードから選択することができます。
MDmesh DM6ファミリは、現在量産中です。価格およびサンプル提供については、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
詳細については、www.st.com/stpowerをご覧ください。
