STマイクロエレクトロニクス、最新の高速化技術で性能を高める高周波650V耐圧IGBTを発表
Geneva / 29 Apr 2019STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、最新のトレンチ・フィールド・ストップ（TFS）技術を活用し、PFCコンバータ、溶接機、無停電電源装置（UPS）、太陽光発電システム用インバータなど、中・高速アプリケーションの効率と性能を向上させる650V耐圧IGBTのHB2シリーズを発表しました。同シリーズには、AEC-Q101 Rev. D規格に準拠した車載用製品も含まれています。
STPOWER™ポートフォリオに新たに加わったHB2シリーズは、低VCEsat（1.55V）による優れた導通性能を備えています。同時に、ゲート電荷を低減することで、動特性が向上しているため、低ゲート電流での高速スイッチングが可能です。優れた熱性能が、信頼性と出力密度の最大化に役立つ一方、高い競争力も実現しています。
HB2シリーズは、全定格ダイオードまたは半定格ダイオード、もしくは保護ダイオードを同一パッケージに逆並列に内蔵することにより、IGBT部への偶発的な逆バイアスを防ぐことができるため、アプリケーションの要求に応じて特性を柔軟に最適化することができます。
この新しい650V耐圧IGBTの最初の製品となるSTGWA40HP65FB2（定格40A）は、現在入手可能で、TO-247パッケージ（ロングリード）で提供されます。単価は、1000個購入時に約2.95ドルです。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
