SGT65R65AL
650 V、49mΩ（標準）、25A、e-mode
PowerGaNトランジスタ
 

• エンハンスメント型ノーマリ･オフ･トランジスタ
• 優れた高速スイッチング
• 高いパワー･マネージメント機能
  
   

• きわめて低いキャパシタンス
• ゲート駆動を最適化するケルビン･ソース･パッド
• ゼロ逆回復電荷
   

PowerGaNについて
製品ビデオ

STPower GaNトランジスタは、比較的新しいワイド･バンドギャップ化合物であるGaN（窒化ガリウム）をベースとする高効率トランジスタです。高い効率と電力密度をはじめとする付加価値を電力変換ソリューションに提供します。 

STが、薄型、低発熱および高効率の電力製品向けのPowerGaNデバイスの量産を開始
プレスリリース

STは、効率性に優れたパワー･コンバージョン･システムの設計を簡素化するe-mode PowerGaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）デバイスの量産を開始しました。STPOWER™ GaNトランジスタは、壁アダプタ、チャージャ、照明システム、産業用電源、再生可能エネルギー･アプリケーション、自動車の電動化などのさまざまなアプリケーションで性能を向上させます。

e-mode GaNテクノロジー：最適なドライブのためのヒント
アプリケーション･ノート

今日のパワー･エレクトロニクスが挑む重要な課題は、電力面と効率面の改善に向けたニーズの高まりに応えると同時に、さらなるコスト削減と小型化を実現することです。その電気的特性のためもあり、ワイド･バンドギャップ材料（WBG）デバイスを導入する動きは、これらを実現する方向性に沿っていると言えます。その背景には、スイッチング周波数の向上により、Siデバイスが理論上の限界に達しているという事情もあります。

窒化ガリウム（GaN）：パワー･エレクトロニクスの未来
製品プレゼンテーション

今日のパワー･エレクトロニクスが挑む重要な課題は、効率性と電源性能の向上に対する高まるニーズに応えると同時に、さらなる低コストと小型化を実現することです。GaN（窒化ガリウム）テクノロジーを導入する動きは、これらを実現する方向性に沿っていると言えます。商用化が進むにつれて、その電力変換アプリケーションでの使用も拡大しています。 

PowerGaNトランジスタの重要な検討事項
アプリケーション･ノート

このアプリケーション･ノートは、GaNパワー･トランジスタの主な電気信号を正確に測定するための、ユーザ視点での完全なガイドラインとなっています。

STのワイド･バンドギャップ･テクノロジーを使用するメリット
ホワイトペーパー

ワイド･バンドギャップ･デバイスが、どのようなアプリケーションのタイプと条件で、シリコン･デバイスよりも高い性能とコスト効率を実現するかについて深く掘り下げます。