H2PAKパッケージに収容された、ブレークダウン電圧範囲が20V～30VであるSTのSTripFET低電圧MOSFETsは、きわめて低いゲート･チャージと最小1.2mΩ（24V）の低いオン抵抗を提供しています。これらは、PoL、VRM、マザーボード、ノートPC、携帯型および超携帯型家電製品、リニア･レギュレータ、同期整流、および車載アプリケーションに対する広範な要件を満たすように最適化されています。
この電圧定格での主な特徴は、以下のとおりです。
- きわめて低いRDS(on)によるアプリケーション効率の向上
- コンパクト設計用のSMD PowerFLATパッケージやハイパワー設計用のH2PAKパッケージなど、さまざまなパッケージの範囲
- 設計の柔軟性を増す、標準、ロジック、スーパー･ロジックの閾値電圧
これらの低電圧パワーMOSFETは、小型およびハイパワー･パッケージ（DPAK、D2PAK、H2PAK、SO-8、SOT-223、TO-220、およびPowerFLAT（2x2、3.3x3.3、5x6、5x6ダブル･アイランド））で提供されます。
