N-channel MOSFETs (> 30V - 200V) - STマイクロエレクトロニクス

STripFET低電圧パワーMOSFETは、幅広いアプリケーションで高性能を実現します。新しいF8シリーズの導入により、産業用および車載用システムで優れたスイッチング動作と伝導挙動を可能にしています。
小型SMDと標準のスルーホール･パッケージの30V～200Vの電圧カテゴリに対応し、第3世代のトレンチ･テクノロジーを実装しているSTのSTripFET製品は、電磁干渉（EMI）ノイズを低減し、全体的な電力効率を向上させるように最適化されています。

電圧ピークの制御により、通信を高速化
望まない不要なターンオンに対する耐性を向上
出力電圧オーバーシュートの内蔵フィルタリング機能を向上
導通損失を低減

アプリケーション：

STripFET MOSFETは、車載用モータ制御、ボディ & コンビニエンス、シャーシ & セーフティ、そして特に自動車の電動化を重視するeモビリティ･アプリケーションなど、車載用製品の開発エコシステムにおいて、性能上の大きなメリットをもたらします。

STの低電圧MOSFETはまた、通信機器 / コンピュータ / 周辺機器、産業用モータ制御、パーソナル電子機器などにも最適です。

製品タイプ

STripFET Nチャネル･パワーMOSFETは、DPAK、D²PAK、H²PAK、SOT-223、TO-220、TO-220FP、PowerFLAT 2x2, 3.3x3.3および5x6のパッケージで提供されます。また、PowerFLAT 5x6パッケージでは、低いゲート電荷と、0.75mΩ（@ 40V）の低いオン抵抗を実現しています。

STripFET F7

逆ボディ･ダイオードの性能を高め、EMIエミッションを低減する低電圧MOSFETシリーズです。

STripFET F8

ゲート電荷の最適化により、最高600kHzの高い転流速度を実現する低電圧MOSFETです。