ブレークダウン電圧範囲が250V～650VであるSTのMdmesh™スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、最小12mΩ（650V）のきわめて低いオン抵抗（RDS(ON)）をMAX-247パッケージで実現しています。このNチャネルSJ MOSFETは、STPOWERファミリの製品です。
STPOWER パワーMOSFET標準シリーズ
対象とする回路トポロジやアプリケーションに応じて、さまざまな専用製品シリーズをご用意しています。汎用性と柔軟性の高いテクノロジーにより、システム設計者は、以前のシリーズ（M2、M5、M6）から、高電力密度システムで大規模に使用されている、ハードスイッチング･トポロジと共振トポロジの両方に適した最新のM9まで広範囲な選択肢が与えられます。
STPOWER MOSFETファスト･リカバリ･ボディ･ダイオード･シリーズ
さらに、MDmeshシリーズには、ファスト･リカバリ･ダイオードを内蔵したバージョン（DM2、DM6、DM9）も取り揃えています。標準プロセスに関して追加されたプラチナ拡散工程によって、統合型ボディ･ダイオードの性能が向上し、逆回復時間trrおよび逆回復電荷Qrrが減るとともにdv/dt（DMxシリーズ）が向上しました。これらの特徴はすべて、ブリッジやハイパワーの位相シフト回路に最適です。
これらのMDmesh™スーパージャンクション･パワーMOSFETは、小型およびハイパワー（HV）パッケージ（HU3PAK、DPAK、IPAK、D2PAK、H2PAK、I2PAK、MAX-247、ISOTOP、SOT-223、SOT223-2L、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247ロング･リードTO-247-4、TO-3PF、TO-LL、およびPowerFLATファミリ（3.3mm x 3.3mm, 5mm x 5mm, 5mm x 6mm HV, and 8mm x 8mm HV））で提供されます。
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者は、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。
注目ビデオ
With MDmesh M9/DM9 series, ST sets a benchmark for the 600V/650V super-junction technology combining best-in-class performance with remarkable ease of use. Tailored for both hard- and soft-switching topologies, the MDmesh M9 and DM9 series are ideal for data centers, 5G power servers, telecommunications, EV charging and solar applications.
STMicroelectronics presents ACEPACK SMIT: a surface-mount power module with top-side cooling, which ensures higher power density and improved thermal management for very efficient and more compact systems.
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.
