製品概要
概要
The VNS3NV04DP-E device is made up of two monolithic chips (OMNIFET II) housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II is designed using STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 technology and is intended for replacement of standard Power MOSFETs in up to 50 kHz DC applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring voltage at the input pin
-
特徴
- AEC-Q100 qualified
- ECOPACK: lead free and RoHS compliant
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
- Compatible with standard Power MOSFET
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - VNS3NV04DP-E
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| VNS3NV04DPTR-E | 量産中 | SO-8 | オートモーティブ | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VNS3NV04DPTR-E | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
VNS3NV04DPTR-E 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。