STPSC4G065UF

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650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode, available in SMB-Flat, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Based on technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions while bringing robustness to the design. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • None or negligible reverse recovery charge in application current range
    • Switching behaviour independent of temperature
    • High forward surge capability
    • Operating Tj from -55 °C to +175 °C
    • ECOPACK2 compliant component

All tools & software

    • 製品型番
      ステータス
      概要
      タイプ
      サプライヤ

      ST Diode Finder

      量産中

      Diode product finder application for Android and iOS

      ファインダ・アプリ ST
      ST Diode Finder

      概要:

      Diode product finder application for Android and iOS

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STマイクロエレクトロニクス - STPSC4G065UF

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3D model

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC4G065UF
量産中
SMBFlat インダストリアル Ecopack3

STPSC4G065UF

Package:

SMBFlat

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

SMBFlat

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack3

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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ECCN (US):
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