STDES-SICGP4

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Testing platform of SiC MOSFETs in HiP247-4 package

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製品概要

概要

The STDES-SICGP4 reference design allows evaluating the switching and thermal performance of power SiC MOSFETs in an HiP247-4 (four-lead) package in a half-bridge topology.

The MOSFETs are controlled by isolated gate drivers. Drivers are supplied by isolated DC-DC converters.

The system requires the connection of an external inductor, a source, a load, an auxiliary supply, and PWM signals. It can be used to test operation in buck or boost configuration.

It is possible to use a low inductance shunt or to assemble a coaxial shunt to measure current through the low side MOSFET. In this perspective, the board can be used as a tool for double pulse test (DPT), to measure overshoot (voltage and current), speed (di/dt; dv/dt), and switching energy (EON; EOFF; ERR).

  • 特徴

    • Half-bridge structure assembled with power SiC MOSFETs in an HiP247-4 package
    • Half-bridge driven by the STGAP2HS galvanic isolated gate driver optimized for SiC MOSFETs
    • Isolated gate drivers supplied by an isolated fly-buck converter based on the L6986I
    • Preset +18 V/-3 V supply voltage for output stage of isolated gate drivers
    • Possibility to set a specific gate voltage, positive and negative level
    • Possibility to set the gate resistor
    • Low inductance sense resistor
    • Prepared for a coaxial shunt resistor for a higher bandwidth of current measurement
    • Specifications:Max. DC input/output voltage: 1 kVInput current level peak (duration up to 100 μs): 69 A

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード WEEE Compliant 材料宣誓書**
STDES-SICGP4
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- インダストリアル - はい

STDES-SICGP4

Package:

-

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Package

-

Grade

Industrial

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SCTWA70N120G2V-4, STGAP2HSCMTR, L6986ITR

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