STが提供するSTGAPシリーズのMOSFETおよびIGBT用絶縁ゲート･ドライバは、システムの制御回路に接続する入力部分とMOSFETまたはIGBTを駆動する部分をガルバニック絶縁します。ガルバニック絶縁は、オンチップの高電圧マイクロ･トランスによって実現しています。このトランスにより、グランドに対するフローティング回部部分との間でコマンドや診断情報を高い信頼性で確実に伝送できます。
STGAP絶縁ゲート･ドライバは、選択したMOSFETまたはIGBTとシステム要件に対する最適化のために多数のパラメータを調整する機能を備えているので、高い柔軟性があります。さらに、システムの堅牢性と信頼性を強化する充実した診断機能も備えています。開発期間を短縮する評価用ハードウェア、ソフトウェア、技術資料も提供中です。
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The STGAP4S is a galvanically isolated single gate driver for IGBTs and SiC MOSFETs with advanced protection, configuration and diagnostic features. The architecture of the STGAP4S isolates the channel gate driving from the control and the low voltage interface circuitry through true galvanic isolation.
The STGAP3S gate driver for SIC MOSFETs and IGBT devices combines ST’s latest galvanic isolation technology with optimized desaturation protection and flexible Miller-clamp architecture.
