製品概要
概要
The newest IGBT 650 HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- Low VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 50 A
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Co-packed with high ruggedness rectifier diode
- Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - GH50H65DRB2-7AG
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GH50H65DRB2-7AG | 量産中 | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT featuring freewheeling diode in an H2PAK-7 package | H2PAK-7 | オートモーティブ | Ecopack1 | |
GH50H65DRB2-7AG
Package:
Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT featuring freewheeling diode in an H2PAK-7 packageMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GH50H65DRB2-7AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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GH50H65DRB2-7AG 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。