製品概要
概要
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performances are optimized both in conduction and switching energies for hard switching application. In this configuration, it has been co-packed with a high ruggedness rectifier diode.
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特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 75 A
- Co-packed with high ruggedness rectifier diode
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - GWA75H65DRFB2
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GWA75H65DRFB2 | 量産中 | Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package | TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 | |
GWA75H65DRFB2
Package:
Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packageMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GWA75H65DRFB2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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GWA75H65DRFB2 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。