製品概要
概要
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
-
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very low RDS(on) over the entire temperature range
- High speed switching performances
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Source sensing pin for increased efficiency
推奨コンテンツ
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
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製品スペック (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 19 Mar 2025 | 19 Mar 2025 |
アプリケーションノート (4)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 05 Mar 2025 | 05 Mar 2025 | ||
| 1.1 | 13 Dec 2022 | 13 Dec 2022 | ||
| 1.0 | 15 Jul 2019 | 15 Jul 2019 | ||
| 1.4 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
テクニカル･ノート & 技術解説 (4)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.2 | 06 Jul 2021 | 06 Jul 2021 | ||
| 1.0 | 19 Nov 2021 | 19 Nov 2021 | ||
| 2.4 | 11 Jul 2023 | 11 Jul 2023 | ||
| 2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
ユーザマニュアル (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.3 | 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
フライヤー (5 of 9)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 18 Jun 2021 | 18 Jun 2021 | ||
| 1.0 | 27 Feb 2022 | 27 Feb 2022 | ||
| 1.0 | 19 Apr 2024 | 19 Apr 2024 | ||
| 1.0 | 26 Nov 2024 | 26 Nov 2024 | ||
| 1.0 | 06 Feb 2025 | 06 Feb 2025 | ||
| 1.0 | 24 Dec 2021 | 24 Dec 2021 | ||
| 1.0 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
| 1.1 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
| 3.0 | 26 Oct 2023 | 26 Oct 2023 |
カンファレンスペーパー (5 of 8)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 29 Apr 2021 | 29 Apr 2021 | ||
| 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Aug 2021 | 23 Aug 2021 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - SCT012W90G3-4AG
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EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 25 Mar 2025 | 25 Mar 2025 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT012W90G3-4AG | 量産中 | HiP247-4 | オートモーティブ | Ecopack2 | |
SCT012W90G3-4AG
Package:
HiP247-4Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT012W90G3-4AG | 量産中 | 18.2 / 100 | 4 distributors | HiP247-4 | Tube | CHINA | EAR99 | NEC |
SCT012W90G3-4AG 量産中
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。