製品概要
概要
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
-
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
推奨コンテンツ
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
製品スペック (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 3.0 | 09 Sep 2020 | 09 Sep 2020 |
アプリケーションノート (4)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 05 Mar 2025 | 05 Mar 2025 | ||
| 1.1 | 13 Dec 2022 | 13 Dec 2022 | ||
| 1.0 | 15 Jul 2019 | 15 Jul 2019 | ||
| 1.4 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
テクニカル･ノート & 技術解説 (4)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.2 | 06 Jul 2021 | 06 Jul 2021 | ||
| 2.0 | 01 Apr 2025 | 01 Apr 2025 | ||
| 2.4 | 11 Jul 2023 | 11 Jul 2023 | ||
| 2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
ユーザマニュアル (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.3 | 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
フライヤー (5 of 9)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 18 Jun 2021 | 18 Jun 2021 | ||
| 1.0 | 27 Feb 2022 | 27 Feb 2022 | ||
| 1.0 | 19 Apr 2024 | 19 Apr 2024 | ||
| 1.0 | 26 Nov 2024 | 26 Nov 2024 | ||
| 1.0 | 06 Feb 2025 | 06 Feb 2025 | ||
| 1.0 | 24 Dec 2021 | 24 Dec 2021 | ||
| 1.0 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
| 1.1 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
| 3.0 | 26 Oct 2023 | 26 Oct 2023 |
カンファレンスペーパー (5 of 8)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 29 Apr 2021 | 29 Apr 2021 | ||
| 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Aug 2021 | 23 Aug 2021 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - SCTW35N65G2VAG
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTW35N65G2VAG | 量産中 | HIP247 | オートモーティブ | Ecopack2 | 10 | 2024-06-14T00:00:00.000+02:00 | |
SCTW35N65G2VAG
Package:
HIP247Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTW35N65G2VAG | 量産中 | 8.4 / 100 | 2 distributors | HIP247 | Tube | CHINA | EAR99 | NEC |
SCTW35N65G2VAG 量産中
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。