製品概要
概要
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
-
特徴
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
推奨コンテンツ
Events and Seminars
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
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製品スペック (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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1.0 | 10 Jun 2016 | 10 Jun 2016 |
アプリケーションノート (4)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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1.0 | 05 Mar 2025 | 05 Mar 2025 | ||
1.1 | 13 Dec 2022 | 13 Dec 2022 | ||
1.0 | 15 Jul 2019 | 15 Jul 2019 | ||
1.4 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
テクニカル・ノート & 技術解説 (4)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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2.2 | 06 Jul 2021 | 06 Jul 2021 | ||
2.0 | 01 Apr 2025 | 01 Apr 2025 | ||
2.4 | 11 Jul 2023 | 11 Jul 2023 | ||
2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
ユーザマニュアル (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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1.3 | 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
フライヤー (5 of 9)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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1.0 | 18 Jun 2021 | 18 Jun 2021 | ||
1.0 | 27 Feb 2022 | 27 Feb 2022 | ||
1.0 | 19 Apr 2024 | 19 Apr 2024 | ||
1.0 | 26 Nov 2024 | 26 Nov 2024 | ||
1.0 | 06 Feb 2025 | 06 Feb 2025 | ||
1.0 | 24 Dec 2021 | 24 Dec 2021 | ||
1.0 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
1.1 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
3.0 | 26 Oct 2023 | 26 Oct 2023 |
カンファレンスペーパー (5 of 8)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
1.0 | 29 Apr 2021 | 29 Apr 2021 | ||
1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 | ||
1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
1.0 | 23 Aug 2021 | 23 Aug 2021 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - SCTWA20N120
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3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
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SCTWA20N120 | NRND | HIP247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | ||||||||||||||||
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SCTWA20N120 | NRND | 7.4 / 100 | Available at 1 distributors 販売代理店在庫 SCTWA20N120
販売代理店在庫データ: 4/18/2025 | | | | Buy from Distributor | | HIP247 long leads | Tube | CHINA | EAR99 | NEC |
SCTWA20N120 NRND
製品型番:
SCTWA20N120
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。