製品概要
概要
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
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特徴
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STB18NM80
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品質 & 信頼性
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB18NM80 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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