製品概要
概要
この超高電圧のNチャネル･パワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づくMDmesh K5テクノロジーを使用して設計されています。その結果、優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーション向けのオン抵抗の劇的な削減と、超低ゲート電荷が実現します。
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特徴
- きわめて低いRDS(on) x 領域
- 業界最高クラスのFoM（性能指数）
- 超低ゲート電荷
- 100%アバランシェ試験済み
- ツェナー･ダイオードによる保護
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD7N80K5
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| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD7N80K5 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STD7N80K5 量産中
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