製品概要
概要
These devices utilize the 7thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
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特徴
- Extremely low gate charge
- Ultra low on-resistance
- Low gate input resistance
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD80N10F7
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD80N10F7 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STD80N10F7 量産中
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パッケージ:
梱包タイプ:
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。