製品概要
概要
This Power MOSFET is designed using the STMicroelectronics consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
-
特徴
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- TO-3PF for higher creepage between leads
- High speed switching
- 100% avalanche tested
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STFW3N170
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STFW3N170 | 量産中 | TO-3PF | インダストリアル | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STFW3N170 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STFW3N170 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。