製品概要
概要
Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of very high voltage Power MOSFETs with outstanding performances.
The strengthened layout coupled with the companys proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.
-
特徴
- 100% avalanche tested
- High speed switching
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- Creepage distance path is 5.4 mm (typ.) for TO-3PF
- Fully isolated TO-3PF plastic packages
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STFW4N150
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STFW4N150 | 量産中 | TO-3PF | インダストリアル | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STFW4N150 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STFW4N150 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。