製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- 10 µs of short-circuit withstanding time
- Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Tight parameter distribution
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STG15M120F3D7
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STG15M120F3D7 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STG15M120F3D7 量産中
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