製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- 5 μs minimum short-circuit withstand time at TJ(sat) = 150 °C
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STG40H120F2D7
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STG40H120F2D7 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STG40H120F2D7 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。