製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- 5 μs minimum short-circuit withstand time at TJ(sat) = 150 °C
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STG40H120F2D7
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | グレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STG40H120F2D7 | 量産中 | インダストリアル | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STG40H120F2D7 | 量産中 | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | D.SCRIB.100% VI STAT | Not Applicable | ITALY | EAR99 | NEC | -55 | 175 | ||||
STG40H120F2D7 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。