製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.65 V (typ) @ IC = 60 A
- Safe paralleling
- Tight parameter distribution
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STG60H65FBD7
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STG60H65FBD7 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STG60H65FBD7 量産中
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