製品概要
概要
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
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特徴
- Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
- Very fast and soft recovery co-packaged diode
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGB30H65DFB2
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Apr 2020 | 22 Apr 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB30H65DFB2 | 量産中 | Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGB30H65DFB2 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。