製品概要
概要
This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications.
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特徴
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGD10NC60HT4 | 量産中 | N-channel 10 A, 600 V very fast IGBT | DPAK | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGD10NC60HT4
Package:
N-channel 10 A, 600 V very fast IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
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最小 | 最大 | ||||||||||||||
STGD10NC60HT4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
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STGD10NC60HT4 量産中
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。