製品概要
概要
本デバイスは、高度な独自トレンチ･ゲート･フィールドストップ構造を用いて開発されたIGBTです。本デバイスは、IGBT Hシリーズの製品で、導電損失とスイッチング損失間の適切なトレードオフによって高いスイッチング周波数のコンバータの効率を最大限に高めます。また、VCE(sat)温度係数がわずかに正で、パラメータのばらつきがきわめて少ないため、並列動作の安全性向上に貢献します。
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特徴
- 最大動作温度：TJ = 175℃
- 低いVCE(sat) = 1.6 V（Typ.）@ IC = 4 A
- ばらつきが小さいパラメータ分布
- 低い熱抵抗
- 短絡回路定格
- ソフト･リカバリおよび高速リカバリ･アンチパラレル･ダイオード
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGD4H60DF
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 20 Jan 2022 | 20 Jan 2022 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD4H60DF | 量産中 | Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package | DPAK | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGD4H60DF | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGD4H60DF 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。