製品概要
概要
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (@ max frequency of 1KHz).
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特徴
- High input impedance (voltage driven)
- Off losses include tail current
- Low on-voltage drop (Vcesat)
- High current capability
- Low gate charge
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGE200NB60S | 量産中 | N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBT | ISOTOP | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGE200NB60S
Package:
N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
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最小 | 最大 | ||||||||||||||
STGE200NB60S | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
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STGE200NB60S 量産中
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。