製品概要
概要
This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).
-
特徴
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- High current capability
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGF10NB60SD
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF10NB60SD | 量産中 | 16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGF10NB60SD
Package:
16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diodeMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGF10NB60SD | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGF10NB60SD 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。