製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 6 μs of minimum short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast-recovery antiparallel diode
- Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGHU30M65DF2AG | 量産中 | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in an HU3PAK package | HU3PAK | オートモーティブ | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
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最小 | 最大 | ||||||||||||||
STGHU30M65DF2AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
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STGHU30M65DF2AG 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。