製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. This device represents an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- VCE(sat) = 1.52 V (typ.) @ IC = 200 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Very fast and soft recovery antiparallel diode
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGST200G65DFAG
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGST200G65DFAG | 量産中 | Automotive-grade trench gate field-stop IGBT 650 V, 200 A in a STPAK package | STPAK | オートモーティブ | Ecopack2 | |
STGST200G65DFAG
Package:
Automotive-grade trench gate field-stop IGBT 650 V, 200 A in a STPAK packageMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGST200G65DFAG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGST200G65DFAG 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。